类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：200V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：8A
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.3Ω（典型值）
　　功耗（Pd）：60W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

D8L20U MOSFET具有多项优良的电气和物理特性，使其在功率电子应用中表现出色。
　　首先，它的漏源耐压（Vds）达到200V，能够在较高电压环境下稳定工作，适用于许多工业和消费类电源设计。
　　其次，该器件的导通电阻较低，典型值约为0.3Ω，这意味着在导通状态下功耗较小，效率更高，有助于减少发热并提高系统的整体能效。
　　此外，D8L20U 支持高达8A的连续漏极电流，适用于中等功率负载的应用。其栅源电压容限为±20V，允许在较宽的控制电压范围内工作，同时具备一定的过压保护能力。
　　该MOSFET的封装形式为TO-220，这种封装具有良好的散热性能，适合安装在散热片上以提高热管理效率。TO-220封装也便于在PCB上安装和焊接，适用于多种电路设计场景。
　　最后，D8L20U 具有较高的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定工作，适合在苛刻的工业环境中使用。

D8L20U 主要应用于各类功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动电路、LED照明驱动器以及电池管理系统等。
　　在开关电源中，D8L20U 可作为主开关器件，用于高频开关操作，实现高效的能量转换。
　　在DC-DC转换器中，该MOSFET可用于升压（Boost）或降压（Buck）电路，实现电压的稳定调节。
　　在电机控制应用中，D8L20U 可作为H桥电路的一部分，控制电机的转向和速度。
　　此外，D8L20U 也常用于LED驱动电路中，作为PWM调光控制的开关元件，实现高效率的光源管理。
　　由于其良好的热稳定性和高耐压特性，D8L20U 也广泛应用于工业自动化设备、家用电器和电源适配器等领域。

IRF840, FQA8N20C, 2SK2545