时间：2025/10/6 22:06:31
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UPA1V271MPD6是一款由Rohm（罗姆）公司生产的N沟道功率MOSFET，采用小型表面贴装封装（S-MPD6），适用于高密度、低电压开关应用。该器件专为高效能和低导通电阻设计，广泛用于便携式电子设备中的电源管理与负载切换场景。其主要优势在于极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于减少传导损耗并提升系统整体效率。UPA1V271MPD6具备良好的热稳定性和快速开关响应能力，适合在电池供电设备中作为高端或低端开关使用。该MOSFET通常工作于逻辑电平驱动条件下，可直接由微控制器或其他数字信号源驱动，无需额外的驱动电路，从而简化了系统设计并降低了整体成本。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，适用于现代绿色电子产品制造。由于其紧凑的封装尺寸，UPA1V271MPD6非常适合空间受限的应用场合，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及各类消费类电子产品中的DC-DC转换器、LED背光驱动和电源路径控制等。
型号：UPA1V271MPD6
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS)：30V
最大栅源电压(VGS)：±20V
最大连续漏极电流(ID)：5.8A
最大脉冲漏极电流(ID_pulse)：23.2A
最大功耗(PD)：1W
导通电阻(RDS(on))：27mΩ（@ VGS=10V）
导通电阻(RDS(on))：34mΩ（@ VGS=4.5V）
阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.0V
输入电容(Ciss)：500pF（@ VDS=15V）
输出电容(Coss)：190pF（@ VDS=15V）
反向恢复时间(trr)：20ns
工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
封装形式：S-MPD6
安装类型：表面贴装(SMD)
UPA1V271MPD6的核心特性之一是其超低导通电阻，在VGS=10V时仅为27mΩ，而在更低的驱动电压4.5V下也能保持34mΩ的优异表现。这一特性显著降低了在大电流条件下的功率损耗，提升了电源系统的转换效率，尤其适用于对能效要求较高的电池供电设备。低RDS(on)还意味着在相同负载条件下产生的热量更少，有助于改善热管理设计，延长设备使用寿命。
该器件采用S-MPD6小型化封装，尺寸紧凑，典型封装尺寸约为3.0mm x 3.0mm x 1.0mm，极大节省了PCB布局空间，满足现代电子产品小型化、轻薄化的设计趋势。同时，该封装具备良好的散热性能，通过底部裸露焊盘可有效将芯片热量传导至PCB地层，进一步提升功率处理能力。
UPA1V271MPD6具有较宽的栅源电压范围（±20V），增强了其在异常工况下的可靠性，防止因过压导致栅极击穿。其阈值电压范围为1.0V至2.0V，属于典型的逻辑电平兼容型MOSFET，能够被3.3V或5V微控制器直接驱动，无需额外电平转换或驱动IC，简化了外围电路设计。
高频开关性能方面，该器件具有较低的输入和输出电容（Ciss=500pF, Coss=190pF），减少了开关过程中的充放电时间，从而支持更高的开关频率运行。这对于提高DC-DC变换器的工作频率、减小滤波元件体积具有重要意义。此外，20ns的反向恢复时间表明其体二极管具备较快的关断速度，有助于降低开关损耗，特别是在同步整流应用中表现更优。
该MOSFET还具备优良的热稳定性与长期可靠性，经过严格的质量认证和老化测试，适用于工业级温度范围（-55℃ ~ +150℃），确保在复杂环境下的稳定运行。
UPA1V271MPD6广泛应用于各类低电压、高效率的电源管理系统中。常见用途包括便携式电子设备中的负载开关，例如智能手机和平板电脑中的LCD/OLED背光驱动控制、摄像头模块供电管理以及USB端口电源开关等。其低导通电阻和小封装特性使其成为理想的选择。
在DC-DC转换器拓扑中，该器件可用于同步整流结构中的低端或高端开关，尤其是在降压（Buck）转换器中，能够有效降低传导损耗，提升整体能效。此外，它也适用于电压调节模块（VRM）和点负载电源（POL）设计，为处理器、内存和其他核心组件提供高效的电源分配。
在电池管理系统中，UPA1V271MPD6可用于电池充放电路径的控制与保护电路，作为电子开关实现充放电回路的通断控制，配合保护IC完成过流、短路等故障保护功能。
其他应用场景还包括LED驱动电路、电机驱动中的H桥低端开关、热插拔电源控制以及各种需要高效、小型化功率开关的消费类电子产品。其逻辑电平驱动能力和高可靠性也使其适用于工业控制、物联网终端设备和智能家居产品中的电源切换模块。
UPA1H271MPD6
