时间：2025/8/2 7:47:43
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ZXTN25060BZTA 是一款由 Diodes 公司（原 Zetex）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽工艺技术，具备低导通电阻（Rds(on)）、高效率和良好的热性能，适用于多种电源管理和功率转换应用。该器件采用 SOT223 封装，适合需要高效能和紧凑布局的设计需求。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流 (Id)：6A
最大漏源电压 (Vds)：60V
最大栅源电压 (Vgs)：±20V
导通电阻 (Rds(on))：最大 0.045Ω @ Vgs=10V
功率耗散：1.5W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：SOT223
ZXTN25060BZTA MOSFET 采用了先进的沟槽式功率 MOSFET 工艺，使其在低 Rds(on) 方面表现出色，从而降低了导通损耗，提高了整体效率。其 SOT223 封装形式不仅节省空间，而且具有良好的散热性能，适用于高密度 PCB 布局。该器件的栅极驱动电压范围宽，可在 4.5V 到 20V 之间工作，使其兼容多种驱动电路设计。此外，ZXTN25060BZTA 具有良好的热稳定性，在高负载条件下也能保持稳定运行。
这款 MOSFET 还具有出色的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压条件下保护自身不受损坏，提高了系统的可靠性。其低栅极电荷（Qg）特性有助于减少开关损耗，提高高频工作的效率。此外，ZXTN25060BZTA 的封装符合 RoHS 标准，适用于环保型电子产品设计。
ZXTN25060BZTA 广泛应用于各类功率电子设备中，如 DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统、负载开关、电机控制以及电源管理模块等。其低导通电阻和高电流能力使其特别适用于高效率电源转换器，例如在笔记本电脑、平板电脑、服务器电源系统中作为同步整流开关使用。此外，该器件也可用于工业控制设备中的电机驱动和负载切换，提供可靠且高效的功率控制解决方案。由于其良好的热性能和封装设计，ZXTN25060BZTA 也适用于需要紧凑设计和高效能的便携式电子设备中。
ZXTN25060DFH、ZXTN25060BFTA、IRLZ44N、FDP6030L、FDN6680、NTMFS5C428N
