时间：2025/7/22 14:54:56
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BUT12FI是一款常用的N沟道功率MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、电机控制、逆变器和功率放大器等高功率电子电路中。该器件由意法半导体（STMicroelectronics）制造，具有低导通电阻、高耐压和良好的热性能，适合在高效率和高可靠性要求的系统中使用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：15A
最大漏-源电压（VDS）：60V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：0.08Ω（最大）
功率耗散（PD）：40W
工作温度范围：-55°C至175°C
BUT12FI具有多项出色的电气和热性能，使其适用于各种功率应用。其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统的整体效率。此外，该MOSFET采用先进的制造工艺，具有较高的热稳定性和抗热失效能力，能够在高温环境下稳定工作。
该器件的高耐压能力（60V VDS）使其适用于中等电压应用，例如直流-直流转换器、电机驱动器和电源管理系统。栅极驱动电压范围宽（通常为±20V），允许使用不同的驱动电路配置，同时具备良好的抗干扰能力。
BUT12FI采用TO-220AB封装，具备良好的散热性能，适合在高负载条件下运行。此外，该MOSFET具有快速开关特性，能够减少开关损耗并提高响应速度，特别适用于高频开关应用。
BUT12FI适用于多种功率电子系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、LED照明驱动器以及工业自动化控制系统。由于其高可靠性和优异的热性能，该器件也常用于汽车电子、电动车控制系统和智能电网设备中。
IRFZ44N, STP15NF06L, FDP6030L, IRLZ44N
