ZXTD717MCTA 时间：2025/12/26 11:05:59 阅读：12

ZXTD717MCTA是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道MOSFET，采用1.2mm x 1.2mm DFN1006-3L小型化封装，专为高密度便携式电子设备中的电源管理与负载开关应用而设计。该器件具备低导通电阻、低栅极电荷和快速开关特性，能够在有限的PCB空间内实现高效的功率控制。ZXTD717MCTA的额定电压为-20V，连续漏极电流可达-1.8A，适用于电池供电系统、智能手机、可穿戴设备及物联网终端等对尺寸和功耗极为敏感的应用场景。其DFN1006-3L封装具有出色的热性能和机械稳定性，支持回流焊工艺，适合自动化贴片生产。此外，该MOSFET符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。由于其优异的开关特性和小型化封装，ZXTD717MCTA在需要频繁开启/关闭电源路径或进行电压域隔离的设计中表现出色，例如用于背光驱动、传感器电源控制或USB接口的过流保护电路中。

参数

类型：P沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压(Vdss)：-20V
　　栅源电压(Vgs)：±8V
　　连续漏极电流(Id)：-1.8A
　　脉冲漏极电流(Idm)：-4.5A
　　导通电阻(Rds(on))：最大值34mΩ（Vgs = -4.5V）
　　导通电阻(Rds(on))：最大值45mΩ（Vgs = -2.5V）
　　栅极电荷(Qg)：典型值2.3nC（Vds = 10V, Id = -1.8A）
　　输入电容(Ciss)：典型值98pF（Vds = 10V, Vgs = 0V）
　　阈值电压(Vgs(th))：典型值-0.85V（范围：-0.6V 至 -1.2V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装：DFN1006-3L
　　功率耗散(Pd)：500mW

特性

ZXTD717MCTA具备多项关键特性，使其成为低电压、小尺寸电源开关应用的理想选择。首先，其低导通电阻（Rds(on)）在Vgs = -4.5V时仅为34mΩ，在同类P沟道MOSFET中处于领先水平，能够显著降低导通损耗，提高整体能效，尤其在电池供电系统中延长设备续航时间方面表现突出。其次，该器件采用DFN1006-3L超小型封装，尺寸仅为1.2mm × 1.2mm × 0.55mm，极大节省了PCB布局空间，适用于高度集成的移动设备如智能手表、TWS耳机和微型传感器模块。该封装还具备良好的热传导性能，通过底部散热焊盘可有效将热量传递至PCB地层，提升功率处理能力。
　　此外，ZXTD717MCTA具有较低的栅极电荷（Qg），典型值为2.3nC，这意味着驱动所需的能量更少，开关速度更快，从而减少开关过程中的动态损耗。这对于高频开关操作或需要快速响应的负载切换应用至关重要。其输入电容（Ciss）仅为98pF，进一步降低了驱动电路的负担，有助于简化栅极驱动设计并减少外部元件数量。
　　该MOSFET的阈值电压（Vgs(th)）典型值为-0.85V，确保在低控制电压下也能可靠导通，兼容3.3V或1.8V逻辑电平的控制器输出，无需额外电平转换电路。同时，它支持-20V的漏源电压，提供了一定的安全裕度，适用于单节锂电池供电系统（通常标称电压为3.7V）。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，可在严苛环境下稳定运行，适用于工业级和消费类应用。最后，产品符合AEC-Q101可靠性标准（部分型号），具备高抗湿性、耐焊接热冲击能力和长期可靠性，适合自动化生产流程。

应用

ZXTD717MCTA广泛应用于对空间和能效要求极高的便携式电子设备中。最常见的用途是作为负载开关，用于控制不同功能模块的电源通断，例如在智能手机中管理摄像头模组、Wi-Fi模块或传感器的供电，以实现节能待机模式。其低Rds(on)和小封装特性也使其非常适合用于电池供电系统的反向电流阻断电路，防止备用电池或辅助电源向主系统倒灌电流。在可穿戴设备中，该器件可用于动态调节显示背光或心率监测传感器的电源，配合微控制器实现精细的功耗管理策略。
　　此外，ZXTD717MCTA可用于USB端口的限流与过载保护，作为电子保险丝（eFuse）的核心开关元件，结合电流检测电阻和比较器实现自动断电保护。在多电源系统中，它可以构建理想的二极管ORing电路，实现主备电源之间的无缝切换，避免传统肖特基二极管带来的压降损耗。由于其快速开关能力，该MOSFET也可用于DC-DC转换器中的同步整流拓扑，尽管更多情况下N沟道器件更具优势，但在特定低压侧配置中仍具应用潜力。工业手持设备、医疗贴片仪器以及物联网节点等对体积敏感且需长期运行的产品，均是ZXTD717MCTA的典型应用场景。