时间：2025/9/14 17:01:09
阅读：13
PSMN013-80YS,115 是一款由Nexperia（安世半导体）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的Trench工艺制造，具有低导通电阻、高功率密度和优异的热稳定性，适用于需要高效能功率转换的各类电源管理系统。PSMN013-80YS,115 封装形式为LFPAK56（也称为Power-SO8兼容封装），具有出色的机械稳定性和散热性能，适合在汽车电子、工业自动化、电源管理和DC-DC转换器等高可靠性应用场景中使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：80V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：130A（在25°C下）
导通电阻（Rds(on)）：1.3mΩ（最大值，在Vgs=10V时）
最大功耗（Ptot）：140W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装：LFPAK56（表面贴装）
PSMN013-80YS,115 的核心特性在于其超低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，使其在高功率应用中能够实现更小的功率损耗和更高的效率。该器件采用LFPAK56封装，具有优异的热性能和机械稳定性，适用于严苛的工作环境。此外，PSMN013-80YS,115 的栅极驱动电压范围宽，支持在多种电源管理系统中使用，包括同步整流、负载开关和马达控制等。
该MOSFET的制造工艺基于Nexperia的高性能Trench技术，能够提供卓越的开关性能和稳定性，减少开关过程中的能量损耗。其低导通电阻特性不仅降低了功率损耗，还减少了散热需求，有助于设计更紧凑、高效的电源系统。此外，PSMN013-80YS,115 的最大漏极电流高达130A，在高功率应用中表现出色，能够满足如电动汽车充电系统、工业电机驱动和高效率DC-DC转换器等对功率密度要求较高的设计需求。
器件的封装设计优化了PCB布局，简化了装配过程，同时具备良好的焊接可靠性和可检测性，确保在批量生产中的高良率。此外，该MOSFET在高温环境下仍能保持稳定的性能，具有良好的热稳定性，适合用于需要长期运行的工业和汽车应用。
PSMN013-80YS,115 主要应用于需要高效率、高功率密度的电子系统中。典型应用包括直流电源管理、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、马达控制、电池管理系统（BMS）、电动汽车充电设备、工业自动化控制系统以及高性能电源模块等。其优异的导通特性和高电流能力使其在需要高效能功率转换的场合表现出色，尤其是在汽车电子和工业电源领域中被广泛采用。
PSMN013-80YSC,115, PSMN019-80YS,115, PSMN029-80YS,115, IPP013N08N3 G, IPB013N08N3 G
