类型：P沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压(VDSS)：-20V
　　栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：-1.9A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：-4.8A
　　导通电阻(RDS(on))：0.115Ω @ VGS = -4.5V
　　导通电阻(RDS(on))：0.145Ω @ VGS = -2.5V
　　阈值电压(VGS(th))：-0.6V ~ -1.0V
　　输入电容(Ciss)：290pF @ VDS=10V
　　反向传输电容(Crss)：50pF @ VDS=10V
　　输出电容(Coss)：240pF @ VDS=10V
　　开启时间(Td(on))：5ns
　　关断时间(Td(off))：15ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SOT-23

ZXRE250ASA-7采用先进的TrenchFET工艺制造，这一技术通过优化沟道结构显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了功率损耗并提升了整体能效。其在VGS = -4.5V条件下RDS(on)仅为115mΩ，在同类P沟道MOSFET中表现出色，有助于降低温升并提高系统可靠性。此外，该器件具备快速开关能力，开启和关断时间分别仅为5ns和15ns，使其非常适合高频开关应用，如同步整流或高速负载切换。器件的输入电容较低（Ciss = 290pF），减少了驱动电路所需的能量，进一步提升了效率。
　　该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作，适应严苛的工业和汽车级环境要求。其最大结温Tj高达150°C，结合SOT-23封装良好的散热设计，可在紧凑空间内实现可靠运行。ZXRE250ASA-7还具备较强的抗静电能力（HBM ESD rating ≥ 2kV），增强了在生产装配和现场使用过程中的鲁棒性。此外，其栅氧层经过严格工艺控制，确保了长期使用的耐久性和稳定性，避免因栅极击穿导致失效。
　　另一个关键优势是其阈值电压范围合理（-0.6V至-1.0V），使得在逻辑电平信号下即可有效驱动，兼容大多数微控制器I/O口输出电压，无需额外电平转换电路。这大大简化了系统设计复杂度，尤其适用于由3.3V或5V电源供电的嵌入式控制系统。同时，该器件支持简单的栅极驱动方式，常用于高边开关配置中实现电源通断控制或反向电流阻断功能。总体而言，ZXRE250ASA-7凭借低RDS(on)、小封装、高可靠性及易于集成的特点，成为现代低电压、小功率电源管理方案中的优选器件。

ZXRE250ASA-7广泛应用于各类低电压电源管理系统中。常见用途包括便携式电子设备中的电池供电控制，例如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等产品中用于实现负载开关功能，以切断未使用模块的供电从而延长待机时间。它也被用作高边开关（High-side Switch），在MCU控制下对电源路径进行通断管理，适用于需要精确电源控制的嵌入式系统。此外，该器件可用于构建理想的二极管电路，实现电池反接保护或多电源选择切换，防止反向电流损坏敏感电路。
　　在DC-DC转换器拓扑中，ZXRE250ASA-7可作为同步整流器的一部分，尤其是在降压（Buck）变换器的上管位置，配合N沟道MOSFET完成高效能量转换。虽然其电流能力有限，但在轻载或中等负载条件下仍能提供良好性能。另外，由于其具备快速响应能力和低静态功耗，因此适合用于电源排序电路或上电时序控制，确保多个电源轨按预定顺序启动。在工业传感器、IoT节点、智能穿戴设备等对尺寸和功耗高度敏感的应用中，ZXRE250ASA-7因其SOT-23小型封装和高集成度而备受青睐。
　　该器件还可用于LED驱动电路中的开关控制，特别是在需要恒流调节或调光功能的场合，利用PWM信号控制MOSFET通断来调节亮度。同时，也可作为热插拔电路中的初级开关元件，限制浪涌电流并实现安全接入。总之，ZXRE250ASA-7凭借其小巧体积、低导通损耗和易用性，已成为众多消费类、工业类和通信类电子产品中不可或缺的功率开关元件。

ZXM61P03GTA
　　FDMC7660
　　AO8803
　　SI2301DS
　　BSS84