工作频率范围：DC ~ 4 GHz
　　输出功率：典型值为30 W（连续波）
　　增益：典型值20 dB
　　效率：典型值55%
　　工作电压：+28V
　　封装类型：表面贴装（SMT）
　　阻抗：50Ω标准匹配
　　热阻：典型值0.35°C/W
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C

RF5643APCK-410 的核心特性包括高线性度、高效率以及宽频率覆盖能力，这使其成为许多高性能射频系统的理想选择。该器件采用了先进的HBT工艺技术，具有优异的温度稳定性和可靠性，适用于高功率密度设计。此外，RF5643APCK-410 的输入和输出端口已经进行了50Ω的内部匹配，从而减少了外部电路的复杂性，使得设计更加简便。
　　该功率晶体管还具备良好的失真性能，能够在复杂的调制信号下保持较低的互调失真（IMD），这对多载波通信系统尤为重要。其高效率特性也有助于降低功耗和散热设计的难度，从而提高整体系统的能效。
　　在封装方面，RF5643APCK-410 采用的是表面贴装（SMT）封装形式，便于自动化装配和节省PCB空间，适用于现代高频电路板的紧凑布局。

RF5643APCK-410 广泛应用于各类射频功率放大系统中，尤其是在蜂窝通信基站（如4G LTE、WiMAX等）、无线接入点、测试与测量设备、广播系统以及工业控制和通信模块中。由于其良好的线性度和高效率表现，特别适合于需要高保真信号放大的场景，如多载波放大器、数字预失真（DPD）系统等。此外，该器件也常用于科研和教学中的高频电路实验平台，作为研究射频功率放大技术的重要组件。

CGH40030P（Cree）、MRFE6VP6300H（NXP）、HMC1099LP5E（Analog Devices）、BLF574（NXP）