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ZXMP10A18KTC 发布时间 时间:2025/5/29 1:43:35 查看 阅读:9

ZXMP10A18KTC是一款高性能的瞬态电压抑制(TVS)二极管阵列,主要用于保护电子设备免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和其他瞬态过电压事件的损害。该器件采用小尺寸封装设计,适合在空间受限的应用中使用,同时提供卓越的浪涌能力和低钳位电压特性,确保敏感电路的安全运行。
  该系列器件广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制领域,为USB端口、HDMI接口、音频视频线路以及其他高速数据传输通道提供可靠的防护。

参数

工作电压:5V
  最大反向工作电压:5.8V
  击穿电压:6V
  最大箝位电压:12V
  峰值脉冲电流:47A
  响应时间:小于等于1ns
  结电容:0.4pF
  漏电流:小于等于1uA
  封装类型:SOD-323

特性

ZXMP10A18KTC具备以下关键特性:
  1. 高度集成的TVS二极管阵列设计,可有效降低电路板空间占用。
  2. 极低的结电容(0.4pF),非常适合高速数据线保护应用。
  3. 快速响应时间(小于等于1ns),能够迅速抑制瞬态过电压。
  4. 优异的ESD防护能力,符合IEC 61000-4-2标准,接触放电±30kV,空气放电±30kV。
  5. 稳定的性能表现,在高温和恶劣环境下仍能保持良好的防护效果。
  6. 符合RoHS环保标准,无铅设计,满足绿色电子产品的要求。

应用

这款TVS二极管阵列适用于多种应用场景,包括但不限于:
  1. USB 2.0/3.0端口保护
  2. HDMI/DVI接口防护
  3. 音频视频信号线防护
  4. 工业总线保护
  5. 无线模块天线输入保护
  6. 消费类电子产品的静电防护
  7. 车载电子系统的瞬态电压保护

替代型号

ZXMS10A18KTC, PESD5V0R1B, SMFJ5.0A

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ZXMP10A18KTC参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C150 毫欧 @ 2.8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs26.9nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1055pF @ 50V
  • 功率 - 最大2.17W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TO-252-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称ZXMP10A18KTCTR