时间：2025/7/1 21:16:47
阅读：7
IRFR1018ETRPBF是一款N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），由Infineon Technologies制造。这款器件设计用于高效率的开关应用，能够提供低导通电阻和快速开关性能。
该MOSFET采用了TO-263封装形式，适合表面贴装技术（SMT），并且广泛应用于电源管理、电机驱动、消费类电子设备以及工业控制等领域。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：14A
导通电阻：1.7mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：25nC（典型值）
总电容：1190pF
开关时间：开启时间18ns，关断时间26ns
功耗：12W
工作温度范围：-55°C至175°C
IRFR1018ETRPBF具有低导通电阻的特点，有助于减少传导损耗，提高系统效率。
其快速开关特性使其非常适合高频开关应用，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
此外，它还支持高电流输出，并且在极端温度条件下仍能保持稳定的性能表现。
由于采用了先进的制造工艺，该器件具备更高的耐用性和抗浪涌能力，能够满足严苛的工作环境要求。
IRFR1018ETRPBF主要应用于DC-DC转换器、逆变器、不间断电源（UPS）、电机控制器以及其他需要高效功率开关的应用场景。
它可以用于消费类电子产品，如笔记本电脑适配器、平板电视等，也可以用于工业设备中的电源管理和运动控制系统。
此外，这款MOSFET还可以用作同步整流器或负载开关，在汽车电子和通信设备中也有所应用。
IRFZ44N, IRF540N, FDP16N60
