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ZXMP10A16KTC 发布时间 时间:2025/7/3 14:52:53 查看 阅读:21

ZXMP10A16KTC是一款高性能的MOSFET功率晶体管,采用先进的制程工艺制造。该器件主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率管理的场景。其封装形式为TO-252(DPAK),具有良好的散热性能和耐压能力。
  该器件以其低导通电阻和快速开关特性著称,能够显著降低功耗并提升系统效率。同时,它具备优异的热稳定性和抗浪涌能力,适用于多种工业和消费类电子产品。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:16A
  脉冲漏极电流:40A
  导通电阻:8mΩ
  总电荷量:35nC
  栅极电荷:15nC
  开关时间:ton=12ns, toff=25ns
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

1. 极低的导通电阻,确保高效的功率传输。
  2. 快速的开关速度,减少开关损耗。
  3. 高电流承载能力,适合大功率应用。
  4. 优异的热性能,提高系统的可靠性和稳定性。
  5. 小型化封装设计,便于PCB布局和组装。
  6. 符合RoHS标准,环保且安全。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC转换器的核心元件。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. LED驱动器中的开关元件。
  5. 各种工业自动化设备中的功率管理模块。
  6. 消费电子产品的电池充电管理系统。

替代型号

IRFZ44N
  STP16NF06L
  FDP16N6
  AO3400

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ZXMP10A16KTC参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C235 毫欧 @ 2.1A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs16.5nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds717pF @ 50V
  • 功率 - 最大2.15W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TO-252-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称ZXMP10A16KTR