时间：2025/5/26 19:26:34
阅读：10
SI7461DP-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道逻辑增强型 MOSFET。该器件采用小型化的 SOT-23 封装，适合在空间受限的应用中使用。由于其低导通电阻和快速开关特性，这款 MOSFET 广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域。
该型号属于 Si74xx 系列，具有极低的栅极电荷和出色的热稳定性，可有效提高系统效率并降低功耗。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：3.8A
导通电阻（典型值）：150mΩ
栅极电荷：3nC
工作温度范围：-55℃至150℃
封装类型：SOT-23
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗。
2. 快速开关性能，能够适应高频应用环境。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性和可靠性。
4. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
5. 支持表面贴装工艺，便于自动化生产。
6. 在宽温度范围内保持稳定的电气性能。
1. 开关电源中的同步整流。
2. DC/DC 转换器和降压/升压电路。
3. 电池管理及保护电路。
4. 固态继电器和负载开关。
5. 电机驱动和信号切换。
6. 各种便携式设备中的功率控制模块。
SI2302DS, FDN337N, BSS138
