KIA3205S 时间：2025/12/28 14:40:22 阅读：13

KIA3205S是一款由Korea Electronics（KEC）公司生产的双N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻和高功率处理能力。该器件封装在SOP8（小外形封装）中，适合用于需要高效功率转换的应用场景。KIA3205S由于其高性能和紧凑的设计，广泛应用于电源管理、电池充电、DC-DC转换器以及负载开关等电子系统中。

参数

类型：MOSFET（双N沟道）
　　漏极-源极电压（Vds）：20V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：4.8A（单通道）
　　导通电阻（Rds(on)）：28mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOP8

特性

KIA3205S具有多项关键特性，使其在电源管理和其他高效率应用中表现出色。首先，其双N沟道设计允许在单个封装中实现两个独立的MOSFET通道，从而节省PCB空间并提高系统集成度。其次，KIA3205S的低导通电阻（Rds(on)）为28mΩ，在Vgs=10V条件下可实现较低的导通损耗，有助于提高能效并减少发热。
　　此外，该器件的漏极-源极额定电压为20V，栅极-源极电压范围为±12V，确保其在多种电压条件下都能稳定运行。其最大连续漏极电流可达4.8A（单通道），支持高负载电流需求的应用。KIA3205S采用SOP8封装，具有良好的散热性能，同时适合自动化贴片生产流程。
　　该MOSFET还具备快速开关特性，使其适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和同步整流器。其高功率密度和优异的热稳定性，使其成为电池供电设备、便携式电子产品、马达控制电路以及电源管理模块的理想选择。