类型：MOSFET（N沟道）
　　漏源电压（VDS）：350V
　　漏极电流（ID）：15A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.35Ω（最大值）
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　功率耗散（Ptot）：170W
　　封装形式：TO-247
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

IXTH15N35MB具备一系列优秀的电气特性，使其在高功率应用中表现优异。
　　首先，该MOSFET的漏源电压（VDS）为350V，能够承受较高的电压应力，适用于多种高电压环境下的应用。其最大漏极电流为15A，能够在相对较高的电流负载下稳定运行。
　　其次，该器件的导通电阻（RDS(on)）最大为0.35Ω，这一低导通电阻值有助于降低导通状态下的功率损耗，从而提高整体系统的效率。这对于开关电源和DC/DC转换器等高效率要求的应用尤为重要。
　　此外，IXTH15N35MB支持±20V的栅极电压（VGS），这为栅极驱动电路提供了较大的设计灵活性。栅极驱动电路的设计可以根据具体应用需求进行优化，以实现更快的开关速度和更低的开关损耗。
　　在封装方面，该MOSFET采用TO-247封装，这种封装形式具有良好的散热性能，有助于在高功率应用中保持芯片的稳定工作温度，延长器件的使用寿命。
　　最后，该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，表明其具备良好的环境适应性，可以在各种极端温度条件下正常工作，适用于工业级和汽车级应用。

IXTH15N35MB适用于多种高功率电子系统，例如工业电机驱动、开关电源（SMPS）、逆变器、DC/DC转换器、电池管理系统、电焊设备、感应加热设备以及电动汽车（EV）充电系统等。在工业电机控制中，该MOSFET可用于高频开关控制，提高电机的效率和响应速度。在开关电源中，其低导通电阻和高电压能力使其成为理想的功率开关元件。在电动汽车充电设备中，IXTH15N35MB可用于DC/AC逆变器或AC/DC整流器电路，以确保高效和稳定的能量转换。此外，该MOSFET也可用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和储能系统等新能源应用领域。

IXTH18N35MB, IXTH10N35MB, IRFP460, FDPF460