时间：2025/6/13 13:17:52
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ZXMN6A08KTC 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由 ZETEX（已被 Diodes Incorporated 收购）生产。该器件采用小型化的 SOT23-3 封装，适合于空间受限的应用场合。它具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于多种便携式设备、消费类电子产品以及工业控制中的负载开关、同步整流和电源管理等应用。
由于其出色的电气性能和紧凑的封装形式，ZXMN6A08KTC 在需要高效能和小尺寸解决方案的设计中非常受欢迎。同时，该器件的工作电压范围较宽，能够适应不同的电路需求。
型号：ZXMN6A08KTC
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：SOT23-3
VDS（漏源极电压）：30V
RDS(on)（导通电阻，典型值@ VGS=4.5V）：120mΩ
VGS(th)（栅极开启电压）：1.5V~3V
ID（连续漏极电流）：2.2A
fT（截止频率）：37MHz
功耗：0.9W
工作温度范围：-55℃~150℃
ZXMN6A08KTC 的主要特性包括：
1. 低导通电阻（RDS(on)）确保在开关状态下有较低的功率损耗，提升效率。
2. 快速开关能力，使其非常适合高频操作环境。
3. 工作电压范围广，支持最高 30V 的漏源极电压。
4. 栅极驱动电压低，易于与低压逻辑电路配合使用。
5. 耐热增强型 SOT23-3 封装，提供更好的散热性能。
6. 高可靠性，能够在 -55℃ 至 +150℃ 的宽温范围内稳定运行。
7. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
ZXMN6A08KTC 广泛应用于以下领域：
1. 便携式电子设备中的负载开关。
2. 各种 DC-DC 转换器和稳压器的同步整流。
3. 手机、平板电脑及其他移动设备的电池管理。
4. 电机驱动和小型化电源模块。
5. 计算机外设及通信设备中的信号切换。
6. 消费类电子产品的保护电路。
7. 工业自动化控制中的信号处理和功率转换部分。
ZXMN3F3A0H, ZXMN4F3B0H, ZXMN6A08FTA
