时间：2025/7/10 7:34:05
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FQP2N60C是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252封装形式。这款MOSFET具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合应用于各种电源管理和电机驱动场景中。其耐压值高达600V，能够承受较大的电压波动，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
该器件适用于高效率、高可靠性的电路设计，广泛用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及负载开关等应用中。
最大漏源电压(Vds)：600V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：3.9A
导通电阻(Rds(on))：4.8Ω（在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：1.2W
工作温度范围(Ta)：-55°C至+150°C
封装形式：TO-252
FQP2N60C具有以下主要特性：
1. 高耐压能力，额定漏源电压为600V，能够适应高压环境。
2. 低导通电阻，在典型栅源电压下导通电阻仅为4.8Ω，有助于减少导通损耗。
3. 快速开关性能，可以有效降低开关损耗，提高整体效率。
4. 小型化封装，TO-252封装形式节省空间，便于安装和使用。
5. 宽工作温度范围，能够在极端环境下稳定运行。
6. 符合RoHS标准，环保且满足现代电子产品的合规性要求。
FQP2N60C适用于多种应用场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)，用作主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器，提供高效电能转换。
3. 电机驱动电路，控制直流电机的速度和方向。
4. 逆变器，实现交流和直流之间的转换。
5. 各种负载开关，用于保护电路免受过流和短路影响。
6. 其他需要高压、大电流处理能力的功率管理电路。
FQPF2N60C
IRF630
STP2NB60Z
