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ZXMN3A06N8TA 发布时间 时间:2023/9/11 17:49:58 查看 阅读:126

产品种类:MOSFET小信号

目录

概述

制造商:DiodesInc.
产品种类:MOSFET小信号
RoHS:是
晶体管极性:N-Channel
电阻汲极/源极RDS(导通):0.05Ohms
汲极/源极击穿电压:30V
闸/源击穿电压:+/-20V
漏极连续电流:6.2A
功率耗散:1.25W
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SO-8
封装:Reel

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ZXMN3A06N8TA参数

  • 标准包装500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C-
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C-
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)-
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOP
  • 包装带卷 (TR)