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ZXMN3A06N8TA 时间：2023/9/11 17:49:58 阅读：283

产品种类：MOSFET小信号

概述

制造商：DiodesInc.
产品种类：MOSFET小信号
RoHS：是
晶体管极性：N-Channel
电阻汲极/源极RDS（导通）：0.05Ohms
汲极/源极击穿电压：30V
闸/源击穿电压：+/-20V
漏极连续电流：6.2A
功率耗散：1.25W
安装风格：SMD/SMT
封装/箱体：SO-8
封装：Reel

ZXMN3A06N8TA推荐供应商更多>

产品型号
供应商
数量
厂商
封装/批号
询价

ZXMN3A06N8TA
深圳市优尚半导体科技有限公司
6263
DIODES
2023+/8SOP

ZXMN3A06N8TA
深圳市河锋鑫科技有限公司
9000
Diodes
2024+/8SOP

ZXMN3A06N8TA
深圳市创芯联盈电子有限公司
8000
Diodes
22+/8SOP

ZXMN3A06N8TA
柒号芯城电子商务(深圳)有限公
8913
Diodes
23+/8SOP

ZXMN3A06N8TA
深圳市腾桩电子有限公司
8000
Diodes
25+/8SOP

ZXMN3A06N8TA
深圳市南科功率半导体有限公司
686868
NK/南科功率
2025+/8SO

ZXMN3A06N8TA
深圳市世纪成达电子科技有限公
8000
Diodes
22+/8SOP

ZXMN3A06N8TA
深圳市科鑫美电子有限公司
9000
Diodes
22+/8SOP

ZXMN3A06N8TA
深圳市铭科微电子有限公司
8000
Diodes
21+/8SOP

ZXMN3A06N8TA
深圳市芯创恒微电子有限公司
3000
diodes
20+/8SOP

ZXMN3A06N8TA
深圳市得捷芯电子科技有限公司
6750
diodes
25+/8SOP

IC词条百科

ZXMN3A06N8TA参数

标准包装500
类别分离式半导体产品
家庭FET - 阵列
系列-
FET 型2 个 N 沟道（双）
FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C-
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C-
Id 时的 Vgs(th)（最大）-
闸电荷(Qg) @ Vgs-
输入电容 (Ciss) @ Vds-
功率 - 最大-
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装8-SOP
包装带卷 (TR)

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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