工作电压范围：6.0V ~ 18V
　　输出电压：5.5V（固定）
　　输出电压精度：±2% @ Ta=25°C
　　最大输出电流：150mA
　　压差电压：典型值 400mV @ Iout=100mA
　　静态电流：典型值 4.0μA
　　关断电流：≤0.1μA
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：SOT-23-5 或 DFN(PLP)1515-6

RH5RH552B-T1的核心特性之一是其超低静态电流，典型值仅为4.0μA，这使得它非常适合用于由电池长期供电的应用场合，例如物联网终端节点、远程传感器和智能仪表等设备。在这些应用中，延长电池寿命至关重要，而该LDO的微安级静态功耗显著降低了待机状态下的能量损耗。此外，该器件具备优异的负载调整率和线路调整率，即使输入电压波动或负载电流发生变化，也能保持输出电压的高度稳定。
　　另一个重要特性是其内置的多种保护机制。芯片集成了过热保护（Thermal Shutdown, TSD）功能，当结温超过安全阈值时会自动关闭输出，防止因异常温升导致器件损坏；同时具备过流保护（Over Current Protection, OCP），可在输出短路或过载情况下限制电流，提高系统鲁棒性。这些保护功能无需外部额外电路即可实现，简化了设计复杂度并提高了可靠性。
　　RH5RH552B-T1还支持使能（Enable）引脚控制，允许用户通过逻辑信号开启或关闭稳压器输出，从而实现电源管理中的节能模式切换。这一功能对于需要间歇性工作的系统非常有用，比如定时唤醒的无线传感节点。配合极低的关断电流（≤0.1μA），可以实现近乎零功耗的待机状态。
　　该器件采用小型封装，如SOT-23-5或DFN1515-6，极大地节省了印刷电路板（PCB）的空间，适用于高密度布局的便携式产品。其良好的热性能和稳定的输出表现使其能在恶劣环境条件下可靠运行。此外，RH5RH552B-T1对输出电容的要求较低，兼容小型陶瓷电容器，进一步减少了外围元件的数量和整体成本。

RH5RH552B-T1主要应用于对电源效率和空间布局有严格要求的嵌入式系统和便携式电子设备中。在微控制器（MCU）供电系统中，该LDO常被用来为ARM Cortex-M系列或其他低功耗处理器提供稳定的5.5V电源，尤其是在主电源电压较高（如9V或12V）而MCU仅需较低电压供电的情况下，RH5RH552B-T1能够高效地完成降压稳压任务，同时保持低噪声和高稳定性。
　　在传感器信号调理电路中，该芯片为各类模拟传感器（如温度、压力、加速度传感器）提供干净且稳定的参考电压，避免电源波动对测量精度造成影响。由于其低噪声和高PSRR（电源抑制比）特性，特别适合用于精密测量系统。
　　在无线通信模块（如LoRa、Zigbee、BLE模块）中，RH5RH552B-T1可用于为射频前端或基带处理器供电，确保通信链路的稳定性和抗干扰能力。其快速瞬态响应能力可以在发射瞬间应对电流突变，防止电压跌落导致通信中断。
　　此外，该器件广泛用于工业自动化设备中的分布式控制单元、智能电表、可穿戴健康监测设备以及智能家居终端。在这些应用中，长期运行的可靠性和低维护需求是关键考量因素，而RH5RH552B-T1凭借其高集成度、内建保护功能和长寿命稳定性，成为理想的电源解决方案。

XC6206P552MR-G
　　AP2112K-5.5
　　ME6211C55M5G-N