您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > ZXMN2A04DN8TC

ZXMN2A04DN8TC 发布时间 时间:2023/10/27 16:14:14 查看 阅读:169

产品种类:MOSFET小信号

目录

概述

制造商:DiodesInc.
产品种类:MOSFET小信号
RoHS:是
配置:DualDualDrain
晶体管极性:N-Channel
电阻汲极/源极RDS(导通):0.035Ohms
汲极/源极击穿电压:20V
闸/源击穿电压:+/-12V
漏极连续电流:7.7A
功率耗散:1.25W
最大工作温度:+150

安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SO-8
封装:Reel
最小工作温度:-55

StandardPackQty:2500

ZXMN2A04DN8TC推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

ZXMN2A04DN8TC资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

ZXMN2A04DN8TC参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C25 毫欧 @ 5.9A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)700mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs40.5nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1880pF @ 10V
  • 功率 - 最大1.25W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOP
  • 包装带卷 (TR)