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GA1210Y223MXXAR31G 发布时间 时间:2025/5/26 22:38:56 查看 阅读:11

GA1210Y223MXXAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET,广泛应用于电源管理、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。其封装形式为紧凑型表面贴装,适合高密度电路设计。

参数

型号:GA1210Y223MXXAR31G
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压:12V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:1.5mΩ
  总功耗:28W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-263 (DPAK)

特性

GA1210Y223MXXAR31G 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻确保了高效率的能量转换。
  2. 高电流承载能力使其能够适应大功率应用场景。
  3. 快速的开关速度减少了开关损耗。
  4. 优异的热稳定性使得其在高温环境下依然保持可靠性能。
  5. 小型化的封装提高了 PCB 空间利用率。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。

应用

该器件适用于多种电子设备和系统中,典型的应用场景包括:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC 转换器的核心功率开关。
  3. 电机控制电路中的驱动元件。
  4. 各类负载开关和保护电路。
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  6. 汽车电子系统中的高效能量传输组件。

替代型号

IRLZ44N, AO3400A, FDP5560N

GA1210Y223MXXAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.022 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-