时间：2025/6/26 10:49:07
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GA0805A8R2BXEBC31G 是一种基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），主要用于高频和高效功率转换应用。该器件采用先进的封装技术，具有低寄生电感和优异的热性能，能够显著提高电源系统的效率和功率密度。
由于其卓越的开关速度和低导通电阻特性，该型号非常适合于DC-DC转换器、逆变器、电机驱动和无线充电等应用场景。
类型：增强型场效应晶体管 (eGaN FET)
额定电压：650V
额定电流：8A
导通电阻：20mΩ
栅极电荷：6nC
输入电容：1400pF
输出电容：350pF
反向恢复时间：无（零反向恢复）
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
GA0805A8R2BXEBC31G 的主要特性包括：
1. 高效的功率转换能力，得益于超低的导通电阻和快速开关性能。
2. 增强型 GaN 技术提供更优的可靠性和耐用性，适用于严苛环境。
3. 减少了寄生参数的影响，确保在高频工作时表现出色。
4. 提供了比传统硅基 MOSFET 更高的功率密度，从而减小系统尺寸。
5. 具有出色的热稳定性，在高温环境下仍能保持高性能表现。
6. 内置保护机制以防止过流、短路和其他异常情况对芯片造成损坏。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 数据中心和电信设备中的高效 DC-DC 转换器。
2. 太阳能逆变器和储能系统中的功率调节模块。
3. 消费类电子产品中的快速充电适配器。
4. 电动汽车和混合动力汽车中的车载充电器及电机驱动器。
5. 工业自动化和机器人中的高频功率转换电路。
6. 无线充电器以及相关高频谐振电路设计。
GA0805A8R5BXEBC31G, GA0805A8R2CXEBC31G
