时间：2025/8/16 12:36:57
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CJP01N65B是一款N沟道增强型功率MOSFET，常用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用了先进的平面工艺技术，具有低导通电阻、高耐压和高可靠性的特点，适用于各类高效能电子设备。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：650V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：1A（@25℃）
导通电阻(Rds(on))：1.2Ω（最大值）
功耗(Pd)：50W
工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
封装形式：TO-92、TO-220等
CJP01N65B的主要特性包括高击穿电压（650V），适合用于高电压应用；低导通电阻使其在导通状态下的功耗较低，提高了整体效率；具有良好的热稳定性和抗过载能力，可在较宽温度范围内稳定工作；该器件的栅极驱动要求较低，适合与常见的驱动电路兼容；此外，其封装形式多样，便于在不同电路设计中灵活使用。
这款MOSFET的制造工艺确保了其优良的开关性能，减少了开关损耗，并且在高频应用中表现出色。CJP01N65B还具有较强的抗静电能力，提升了器件的可靠性和使用寿命。
由于其优异的性能指标和稳定性，CJP01N65B被广泛应用于各类电源管理电路中，包括开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及负载开关等场景。
CJP01N65B广泛应用于电力电子设备中，例如开关电源（SMPS）、LED驱动器、电池充电器、电机控制器、逆变器以及工业自动化控制系统等。其高耐压特性使其在高压直流电源转换系统中表现出色，同时也适用于需要高效能、高可靠性的消费类电子产品和工业设备中。
KSP01N65A、SIHP01N65AF、CSP01N65B、2SK3569
