IRF7474TRPBF 时间：2025/7/9 10:38:56 阅读：18

IRF7474TRPBF 是一款高性能的 N 沃特功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由 Vishay International 生产。这款器件采用了先进的 Trench 技术，具有较低的导通电阻和极快的开关速度，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载切换等应用。
　　该芯片以 TO-252 封装形式提供，能够有效提高功率转换效率并降低系统功耗。其优化的电气性能和热性能使其成为许多工业和消费类电子设备的理想选择。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：39A
　　导通电阻（Rds(on)）：3.5mΩ
　　栅极电荷：18nC
　　输入电容：1420pF
　　总功耗：14W
　　工作结温范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：TO-252

特性

IRF7474TRPBF 具有以下显著特点：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，在典型值为 3.5mΩ 时可减少传导损耗，从而提高整体效率。
　　2. 快速开关能力，具备较小的栅极电荷 (Qg)，有助于减少开关损耗，适合高频应用。
　　3. 高雪崩能量能力，增强了器件在过载条件下的鲁棒性。
　　4. 符合 RoHS 标准，采用环保材料制造。
　　5. 优化的热阻设计，确保高效的散热性能，延长使用寿命。
　　6. 可靠性高，适用于严苛的工作环境，支持高温运行。

应用

IRF7474TRPBF 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流。
　　2. DC-DC 转换器中的高端和低端开关。
　　3. 电机驱动和控制电路中的功率级元件。
　　4. 笔记本电脑适配器及充电器。
　　5. 工业自动化和控制系统中的负载切换。
　　6. 电信设备中的高效功率管理模块。
　　7. 电动工具和其他便携式电子设备的电池管理系统。