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ZXMN10A11K 发布时间 时间:2023/9/19 16:20:09 查看 阅读:187

类别:分离式半导体产品

目录

概述

类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:350 毫欧 @ 2.6A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2.4A
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs:5.4nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :274pF @ 50V
功率 - 最大:2.11W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:DPak, SC-63,TO-252(2 引线+接片)
包装:剪切带 (CT)
其它名称:ZXMN10A11KCT

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ZXMN10A11K参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C350 毫欧 @ 2.6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs5.4nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds274pF @ 50V
  • 功率 - 最大2.11W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TO-252-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称ZXMN10A11KTR