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42J34GB 发布时间 时间:2025/7/31 23:16:12 查看 阅读:38

42J34GB 是一款由日本电气(NEC)生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理和功率转换电路中。这款MOSFET具备较高的电流承载能力和较低的导通电阻,适用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制等多种功率电子设备。其封装形式通常为TO-220,具备良好的散热性能,能够满足高功率应用的需求。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):500V
  栅源电压(Vgs):±30V
  漏极电流(Id):12A(最大)
  导通电阻(Rds(on)):0.45Ω(最大)
  功率耗散(Ptot):150W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-220

特性

42J34GB MOSFET具有多项优良的电气和物理特性,使其在功率电子应用中表现出色。首先,其高耐压能力(500V Vds)使得该器件适用于高电压输入环境下的开关应用。其次,较低的导通电阻(Rds(on))可以有效减少导通损耗,提高系统的整体效率。此外,该器件具有较高的电流承载能力(12A),适用于需要较大负载电流的电路设计。TO-220封装提供了良好的散热性能,有助于在高功率操作时保持芯片温度在安全范围内。该MOSFET还具备良好的热稳定性和抗过载能力,能够在恶劣工作条件下保持稳定运行。

应用

42J34GB MOSFET主要应用于各类功率电子系统中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC整流器、电机驱动电路、逆变器、LED照明驱动电路以及工业自动化控制系统等。其高电压和大电流特性也使其成为家电(如电磁炉、洗衣机、空调)和电动车相关设备中的理想功率开关器件。此外,在太阳能逆变器和储能系统中,该器件也可用于功率调节和能量转换。

替代型号

2SK2647, 2SK2141, IRFBC40, 2SK2545

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