时间：2025/7/23 5:18:18
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BUX11N 是一款由英飞凌（Infineon）公司生产的N沟道功率MOSFET，主要用于电源管理和功率转换应用。该器件采用了先进的技术，提供高效率、低导通电阻和优异的热性能，适合用于各种高功率和高频率的应用场景。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：600V
连续漏极电流（ID）：15A
导通电阻（RDS(on)）：0.35Ω
栅极电荷（Qg）：47nC
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
功率耗散（Ptot）：80W
BUX11N 具备多个优异的电气和物理特性，使其在各种功率应用中表现出色。其高耐压能力（600V）使其适用于高电压系统，同时具备较低的导通电阻，有助于降低导通损耗并提高整体效率。该MOSFET的高电流承载能力（15A）使其能够处理较大的负载，适用于需要高功率输出的设计。
此外，BUX11N 采用了TO-220封装，具有良好的散热性能，能够在较高功率下保持稳定运行。该封装形式也便于安装和散热器的连接，有助于提高系统的可靠性和寿命。
该器件的栅极电荷较低（47nC），有助于减少开关损耗，提高开关频率下的效率。这对于高频电源转换器和开关电源（SMPS）来说尤为重要。此外，BUX11N 的工作温度范围较宽（-55°C至150°C），能够在极端环境条件下保持稳定运行，适用于工业、汽车和消费类电子设备。
BUX11N 广泛应用于多种功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、电池充电器、逆变器以及工业自动化控制系统。由于其高电压和高电流能力，该器件也常用于照明系统、电源管理模块以及各类高功率负载控制电路中。
BUX11N 可以被其他类似的N沟道功率MOSFET替代，例如BUK7K15-60E、IRF840、或FQP15N60C。在选择替代型号时，应确保参数（如耐压、导通电阻、电流能力）满足具体应用的需求，并考虑封装兼容性和散热要求。
