时间：2025/5/29 20:37:11
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ZXMN10A09KTC 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用了 TrenchSTOP? 技术，具有较低的导通电阻和较高的开关性能，适用于各种高效率功率转换应用。
这款 MOSFET 的封装形式为 TO-Leadless (TOLL)，能够有效提高散热性能和电流承载能力。它非常适合用于需要高频开关和低损耗的应用场景。
最大漏源电压：90V
连续漏极电流：10A
导通电阻（典型值）：8.5mΩ
栅极电荷：36nC
总电容：1420pF
工作结温范围：-55℃ to +175℃
ZXMN10A09KTC 具有以下显著特点：
1. 超低导通电阻，有助于减少传导损耗并提高整体效率。
2. 高速开关性能，适合高频应用。
3. TOLL 封装设计提供更优的热特性和电气性能。
4. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
5. 高可靠性，在极端温度条件下仍能保持稳定运行。
该 MOSFET 广泛应用于多种电力电子领域，包括但不限于以下应用：
1. 开关电源（SMPS）
2. 电动工具中的无刷直流电机驱动
3. 工业逆变器和变频器
4. 电动汽车及混合动力汽车中的 DC/DC 转换器
5. 太阳能微逆变器和其他可再生能源设备
IPW100N09S3G, IRFZ44N
