时间：2025/8/6 18:20:24
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IKQ75N120CH7 是英飞凌（Infineon）推出的一款高性能IGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片，广泛应用于工业电力电子设备、电机驱动、变频器以及新能源领域。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗特性和双极型晶体管的低导通压降优势，具备高效率、高可靠性和良好的热稳定性。IKQ75N120CH7 采用先进的沟槽栅场截止（Trench Field Stop）技术，显著降低了导通损耗和开关损耗，适用于高频开关应用。
类型：IGBT
最大集电极-发射极电压（VCES）：1200V
最大集电极电流（IC）：75A
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TO-247
导通压降（VCE_sat）：典型值2.1V @ IC=75A, Tj=25°C
短路耐受能力：6μs @ VCE=300V
短路电流：300A
栅极电荷（QG）：典型值120nC
输入电容（Cies）：典型值2200pF
功率耗散（Ptot）：典型值200W
IKQ75N120CH7 具备多项先进特性，使其在高功率密度和高效率应用中表现出色。
首先，该IGBT采用Infineon的Trench FS（沟槽场截止）技术，显著降低了导通损耗和开关损耗。导通压降（VCE_sat）在额定电流下仅为2.1V，有助于减少功率损耗，提高系统效率。
其次，该器件具备优异的短路耐受能力，可在300V下承受6μs的短路时间，最大短路电流可达300A。这种能力使IKQ75N120CH7在电机驱动和变频器等可能遇到瞬态短路的应用中具备更高的可靠性。
此外，该IGBT的栅极电荷（QG）仅为120nC，输入电容为2200pF，具备较低的驱动功率需求，有助于降低驱动电路的设计复杂度，并提升高频开关性能。
该器件的热阻（RthJC）较低，确保在高功率工作条件下仍能保持良好的散热性能，提升整体系统的稳定性和寿命。
最后，IKQ75N120CH7采用TO-247封装，具备良好的机械稳定性和热传导性能，适用于各种工业环境。
IKQ75N120CH7 主要用于需要高电压、大电流和高效率的功率转换系统。典型应用包括工业变频器、伺服驱动器、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电动汽车充电设备以及工业电机控制等。其优异的短路耐受能力和低损耗特性使其在电机控制和变频器系统中尤为适用。此外，该IGBT也可用于高频开关电源设计，适用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统。
IKW75N120CH7, IKQ75N120CS7, FF75R12KS4P5
