MMR901XA 是一款由 ROHM(罗姆)公司生产的 P 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于负载开关、电源管理以及电池供电设备中的高边开关应用。该器件采用小型封装(通常为 SOT-23 或 SSON004),适用于需要高效、低功耗控制的便携式电子产品。MMR901XA 的设计使其能够在低电压条件下稳定工作,提供良好的导通性能和快速的开关响应。
类型:P 沟道 MOSFET
最大漏极电流(ID):100 mA
漏源击穿电压(VDS):-20 V
栅源击穿电压(VGS):±12 V
导通电阻(RDS(on)):最大 3.5 Ω(在 VGS = -4.5 V 时)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:SOT-23 或 SSON004
MMR901XA 的主要特性包括低导通电阻、高可靠性以及适用于小型电子设备的紧凑封装。其 P 沟道结构允许其在高边开关应用中实现高效的负载控制,尤其适合用于电池供电系统中的电源管理。此外,该器件具有良好的温度稳定性,能够在广泛的温度范围内保持稳定性能。MMR901XA 还具备快速开关能力,有助于减少开关损耗并提高整体系统效率。由于其低栅极电荷,驱动电路的功耗也较低,适合用于高频率开关场合。
MMR901XA 常见于便携式电子产品,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和数码相机等。其典型应用包括作为负载开关控制电源供应、电池保护电路、DC-DC 转换器以及各类低功耗系统的电源管理模块。由于其小型封装和低功耗特性,也非常适合用于空间受限的设计中。
MMR901XAK, MMR901XAH, MMR901XAV, MMR901XAL