MA0402XR221K500 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高性能功率晶体管,广泛应用于高频、高效能的电源转换和射频放大器领域。该器件采用先进的封装技术,能够显著提升系统的效率和功率密度。
这款 GaN 功率晶体管具有极低的导通电阻和快速的开关速度,适用于高频率操作场景。其出色的性能使其成为传统硅基 MOSFET 的理想替代品。
型号:MA0402XR221K500
类型:增强型 GaN HEMT
工作电压:650V
连续漏极电流:30A
导通电阻:22mΩ
栅极电荷:80nC
反向恢复电荷:无(零反向恢复)
结温范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-247-4L
MA0402XR221K500 具备以下特点:
1. 极低的导通电阻 (22mΩ),确保在高电流应用中降低功耗。
2. 高速开关能力,支持高达数 MHz 的开关频率。
3. 无反向恢复电荷设计,减少了开关损耗并提高了系统效率。
4. 宽广的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C),适合恶劣环境下的应用。
5. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电子设备中。
6. 内置 ESD 保护功能,增强了器件的可靠性。
MA0402XR221K500 主要应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器,用于提高效率和减小体积。
2. 电机驱动控制,特别是在需要快速动态响应的场景中。
3. 射频功率放大器,利用其高频性能实现高效的信号放大。
4. 新能源领域,例如太阳能逆变器和电动汽车车载充电器 (OBC)。
5. 工业级负载点 (POL) 转换器,提供更高的功率密度和更低的热损耗。
MA0402XR220K500
MA0402XR222K500
GAN042-650WSA