时间：2025/5/28 13:59:37
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ZXMC3A17DN8TC是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，专为高频开关应用设计。该器件采用先进的封装技术以提高散热性能和电气特性，适用于高效率电源转换器、DC-DC转换器以及通信设备具有低导通电阻和快速开关速度，能够在高频工作条件下保持较低的功耗，从而提升整体系统效率。
型号：ZXMC3A17DN8TC
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
最大漏源电压：600 V
最大连续漏极电流：17 A
导通电阻：50 mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：80 nC（典型值）
开关频率：支持高达5 MHz
结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247-4L
1. 采用增强型氮化镓（eGaN）技术，具备卓越的高频性能和低损耗。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低传导损耗。
3. 高速开关能力，适合高频开关电源和DC-DC转换器应用。
4. 内置保护功能，如过流保护和热关断保护，提高了系统的可靠性和安全性。
5. 封装优化设计，提升了散热性能和电气连接稳定性。
6. 广泛的工作温度范围使其适应各种恶劣环境下的应用需求。
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 高频DC-DC转换器，用于服务器、通信基站和其他高性能电力电子设备。
3. 工业电机驱动和逆变器，提供高效的功率控制。
4. 快速充电器和适配器设计，满足现代消费类电子产品对紧凑性和效率的需求。
5. 可再生能源领域，例如太阳能微逆变器和储能系统中的功率转换模块。
6. 其他需要高频、高效功率转换的应用场景。
3A20DN8TC
