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2N4392 发布时间 时间:2025/7/25 21:35:30 查看 阅读:5

2N4392是一款常用的N沟道结型场效应晶体管(JFET),广泛用于模拟电子电路中的开关和放大应用。这款晶体管以其稳定的性能和可靠性在工业界获得了广泛应用,尤其适用于需要低噪声和高输入阻抗的场合。

参数

类型:N沟道JFET
  漏极电流(ID):10mA(最大)
  漏源击穿电压(BVDSS):25V
  栅源击穿电压(BVGSS):-25V
  输入电容(Ciss):5pF(典型)
  跨导(Gm):4000μS(典型)
  工作温度范围:-55°C至+150°C

特性

2N4392具有出色的线性放大性能,适用于音频放大器和信号处理电路。其高输入阻抗特性使其在模拟电路中非常有用,能够有效减少对前级电路的影响。此外,该器件的低噪声系数使其成为射频(RF)和低噪声放大器设计中的优选元件。
  该JFET的结构设计确保了其在宽频率范围内的稳定工作,同时具备良好的热稳定性和抗干扰能力。其封装形式通常为TO-92,适合于各种通用和高性能电路设计。
  2N4392的制造工艺采用了先进的硅技术,确保了器件在高温和高湿度环境下的可靠性。此外,该器件的参数一致性较高,方便设计者在多级放大电路中使用。

应用

2N4392常用于音频放大器、射频信号放大器、模拟开关电路以及各种传感器信号调理电路。由于其高输入阻抗和低噪声特性,该晶体管在麦克风前置放大器、低噪声前置放大器以及精密测量仪器中得到了广泛应用。
  此外,2N4392还可用于电压控制电阻电路、可变增益放大器以及模拟信号处理模块。在通信设备中,该器件可以作为信号链路中的关键放大元件,提升整体系统的信号质量和稳定性。

替代型号

J201, 2N5457, BF245C

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2N4392参数

  • 制造商Central Semiconductor
  • 产品种类JFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 漏源电压 VDS40 V
  • 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss)25 mA to 75 mA
  • 闸/源击穿电压40 V
  • 漏极连续电流0.1 nA
  • 配置Single
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-18
  • 功率耗散1.8 W
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)60 Ohms
  • 工厂包装数量2000