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ZXMC3A17DN8 发布时间 时间：2023/9/26 18:01:06 查看 阅读：241

产品种类：MOSFET小信号

目录

概述

制造商：DiodesInc.
产品种类：MOSFET小信号
RoHS：是
配置：DualDualDrain
晶体管极性：NandP-Channel
电阻汲极/源极RDS（导通）：0.065Ohms
汲极/源极击穿电压：30V
闸/源击穿电压：+/-20V
漏极连续电流：5.4A
功率耗散：1.25W
最大工作温度：+150℃

安装风格：SMD/SMT
封装/箱体：SO-8
封装：Reel
最小工作温度：-55℃

StandardPackQty：500

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ZXMC3A17DN8产品

ZXMC3A17DN8参数

  • 制造商Diodes Inc.
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N and P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压30 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流5.4 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）0.065 Ohms
  • 配置Dual Dual Drain
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SO-8
  • 封装Reel
  • 下降时间6.4 ns at N Channel, 2.9 ns at P Channel
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散1.25 W
  • 上升时间6.4 ns at N Channel, 2.9 ns at P Channel
  • 工厂包装数量500
  • 典型关闭延迟时间16 ns at N Channel, 29.2 ns at P Channel

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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