您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > ZXMC3A17DN8

ZXMC3A17DN8 发布时间 时间:2023/9/26 18:01:06 查看 阅读:274

产品种类:MOSFET小信号

目录

概述

制造商:DiodesInc.
产品种类:MOSFET小信号
RoHS:是
配置:DualDualDrain
晶体管极性:NandP-Channel
电阻汲极/源极RDS(导通):0.065Ohms
汲极/源极击穿电压:30V
闸/源击穿电压:+/-20V
漏极连续电流:5.4A
功率耗散:1.25W
最大工作温度:+150

安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SO-8
封装:Reel
最小工作温度:-55

StandardPackQty:500

ZXMC3A17DN8推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

ZXMC3A17DN8资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

ZXMC3A17DN8参数

  • 制造商Diodes Inc.
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N and P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压30 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流5.4 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.065 Ohms
  • 配置Dual Dual Drain
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SO-8
  • 封装Reel
  • 下降时间6.4 ns at N Channel, 2.9 ns at P Channel
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散1.25 W
  • 上升时间6.4 ns at N Channel, 2.9 ns at P Channel
  • 工厂包装数量500
  • 典型关闭延迟时间16 ns at N Channel, 29.2 ns at P Channel