类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：500V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　连续漏极电流(Id)：9A
　　功耗(Pd)：83W
　　导通电阻(Rds(on))：0.85Ω
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220/TO-263

PHW9N50 MOSFET具备多项优良特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其最大漏源电压（Vds）可达500V，能够承受较高的电压应力，适用于高压开关应用。其次，该器件在导通状态下的漏源电阻（Rds(on)）为0.85Ω，确保了较低的导通损耗，从而提高了整体系统效率。此外，PHW9N50的连续漏极电流为9A，具备良好的电流承载能力。
　　该MOSFET采用了先进的硅工艺制造，具备良好的热稳定性和抗过载能力，在高温环境下仍能保持稳定工作。其栅极驱动电压范围宽广（±30V），便于与多种驱动电路兼容。PHW9N50还具备较低的栅极电荷（Qg），有助于提高开关速度并降低开关损耗，适合高频开关应用。
　　在封装方面，PHW9N50常采用TO-220或TO-263等标准封装形式，便于焊接和散热。这种封装设计不仅增强了散热性能，还简化了在PCB上的安装与布局。

PHW9N50主要用于各类功率电子设备中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED驱动器、逆变器、电机控制器以及工业自动化设备中的功率开关模块。其高耐压和低导通电阻的特性，使其在高频开关电源中尤为适用。此外，由于其具备良好的热特性和较高的可靠性，PHW9N50也广泛用于家电产品中的功率控制部分，如电磁炉、微波炉和变频空调等。在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，PHW9N50也扮演着关键的功率开关角色。

IRF840, FQA9N50C, STP9NK50Z, 2SK2647