ZW50F90AW1 时间：2025/7/29 17:29:16 阅读：4

ZW50F90AW1 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型晶体管系列。该器件专为高功率、高效率的开关应用而设计，广泛用于工业控制、电源转换、电动机驱动和功率放大器等场景。ZW50F90AW1 采用了先进的沟槽栅技术，能够在高电压和大电流条件下保持较低的导通电阻（Rds(on)），从而降低功耗，提高系统效率。其封装形式通常为TO-247，适用于需要良好散热性能的高功率应用。

参数

类型：N沟道
　　最大漏源电压(Vds)：900V
　　最大漏极电流(Id)：50A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值0.125Ω
　　栅极电荷(Qg)：典型值130nC
　　最大功耗(Pd)：300W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-247

特性

ZW50F90AW1 的核心优势在于其卓越的电性能和可靠性。
　　首先，其高达900V的漏源电压耐受能力使其适用于高电压开关电路，如PFC（功率因数校正）电路和DC-DC转换器。
　　其次，导通电阻Rds(on)的典型值仅为0.125Ω，显著降低了导通损耗，提升了整体能效。
　　此外，该器件具有较低的栅极电荷（Qg）值，意味着在高频开关应用中可以实现更快的开关速度，从而减少开关损耗。
　　ZW50F90AW1 还具备出色的热稳定性，采用TO-247封装，具有良好的散热能力，适合在高功率密度环境中使用。
　　在可靠性方面，该MOSFET具备良好的短路和过热保护特性，能够有效防止因过载或异常工况导致的损坏。
　　综上所述，ZW50F90AW1 是一款适用于高性能电源系统的MOSFET器件，能够在高电压、大电流条件下提供稳定、高效的开关性能。

应用

ZW50F90AW1 主要应用于需要高电压和大电流处理能力的功率电子设备中。典型应用包括电力供应系统中的PFC（功率因数校正）电路、工业电机驱动器、DC-DC升压/降压转换器、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器以及高功率LED照明系统。由于其低导通电阻和高效率，该器件也常用于需要节能和高可靠性的新能源汽车和充电桩系统中。