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BQ4013YMA-70N 发布时间 时间:2022/11/30 11:24:09 查看 阅读:794

    制造商: Texas Instruments

    产品种类: NVRAM

    数据总线宽度: 8 Bit

    存储容量: 1 Mbit

    组织: 128 K x 8

    封装 / 箱体: DIP-32

   

目录

概述

    制造商: Texas Instruments

    产品种类: NVRAM

    数据总线宽度: 8 Bit

    存储容量: 1 Mbit

    组织: 128 K x 8

    封装 / 箱体: DIP-32

    接口类型: Parallel

    访问时间: 70 ns

    电源电压(最大值): 5.5 V

    电源电压(最小值): 4.5 V

    工作电流: 50 mA

    最大工作温度: + 85 C

    最小工作温度: - 40 C

    封装: Tube

    工作电源电压: 5 V

    类型: NVSRAM


资料

厂商
TI

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BQ4013YMA-70N参数

  • 标准包装12
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型NVSRAM(非易失 SRAM)
  • 存储容量1M (128K x 8)
  • 速度70ns
  • 接口并联
  • 电源电压4.5 V ~ 5.5 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳32-DIP 模块(0.61",15.49mm)
  • 供应商设备封装32-DIP 模块(18.42x42.8)
  • 包装托盘
  • 其它名称296-9395-5