BQ4013YMA-70N
时间:2022/11/30 11:24:09
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制造商: Texas Instruments
产品种类: NVRAM
数据总线宽度: 8 Bit
存储容量: 1 Mbit
组织: 128 K x 8
封装 / 箱体: DIP-32
概述
制造商: Texas Instruments
产品种类: NVRAM
数据总线宽度: 8 Bit
存储容量: 1 Mbit
组织: 128 K x 8
封装 / 箱体: DIP-32
接口类型: Parallel
访问时间: 70 ns
电源电压(最大值): 5.5 V
电源电压(最小值): 4.5 V
工作电流: 50 mA
最大工作温度: + 85 C
最小工作温度: - 40 C
封装: Tube
工作电源电压: 5 V
类型: NVSRAM
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- BQ4013YMA-70N
- 深圳市凯斯宇科技有限公司
- 5058
- Texas Instruments
- 2022+/IC NVSRAM 1MBIT 70NS 32DIP
-
BQ4013YMA-70N参数
- 标准包装12
- 类别集成电路 (IC)
- 家庭存储器
- 系列-
- 格式 - 存储器RAM
- 存储器类型NVSRAM(非易失 SRAM)
- 存储容量1M (128K x 8)
- 速度70ns
- 接口并联
- 电源电压4.5 V ~ 5.5 V
- 工作温度-40°C ~ 85°C
- 封装/外壳32-DIP 模块(0.61",15.49mm)
- 供应商设备封装32-DIP 模块(18.42x42.8)
- 包装托盘
- 其它名称296-9395-5