类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大漏极电流（Id）：9A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.45Ω
　　最大功率耗散（Pd）：75W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V
　　封装形式：TO-220

NK730的N沟道增强型结构确保了其在常断状态下的安全性，只有在栅极施加足够的正向电压时才会导通，这种设计提高了电路的安全性和稳定性。该MOSFET的导通电阻较低，降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了整体能效。此外，NK730具备较强的耐高温能力，能够在较高的环境温度下稳定工作，适用于一些对散热要求较高的应用场合。
　　NK730的封装形式为TO-220，具有良好的散热性能，便于安装在散热片上以提高散热效率。该器件还具备较强的抗短路和过载能力，能够在短时间内承受超过额定值的电流冲击，提高了系统的可靠性和安全性。
　　在驱动特性方面，NK730的栅极阈值电压范围适中，适用于多种驱动电路，能够在常见的PWM控制电路中稳定工作。同时，其快速开关特性降低了开关损耗，提高了系统的动态响应能力。

NK730广泛应用于各种电力电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动电路以及LED照明驱动电路等。在开关电源中，NK730作为主开关元件，用于实现高效的能量转换；在电机控制应用中，它被用于H桥电路中的高端或低端开关，以控制电机的转向和速度；在太阳能逆变器和UPS系统中，NK730也被用于实现高效的能量转换和稳定的输出控制。
　　此外，NK730还可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制电路，确保电池组的安全运行。由于其良好的热稳定性和较高的耐压能力，NK730也适用于工业自动化设备、家电控制电路以及各种需要高可靠性和高效率的电源管理系统。

IRF730, FQP7N60, STP9NK60Z