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ZVP4525E6TA 发布时间 时间:2023/8/11 16:52:06 查看 阅读:201

产品种类:MOSFET小信号

目录

概述

制造商:DiodesInc.

产品种类:MOSFET小信号

RoHS:是

配置:SingleQuadDrain

晶体管极性:P-Channel

电阻汲极/源极RDS(导通):14Ohms

汲极/源极击穿电压:-250V

闸/源击穿电压:+/-40V

漏极连续电流:-197mA

功率耗散:1.1W

最大工作温度:+150℃

安装风格:SMD/SMT

封装/箱体:SOT-23-6

封装:Reel

最小工作温度:-55℃

StandardPackQty:3000

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ZVP4525E6TA参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)250V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C197mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C14 欧姆 @ 200mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs3.45nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds73pF @ 25V
  • 功率 - 最大1.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-23-6
  • 供应商设备封装SOT-23-6
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称ZVP4525E6TR