ZVP4525E6TA
时间:2023/8/11 16:52:06
阅读:191
概述
制造商:DiodesInc.
产品种类:MOSFET小信号
RoHS:是
配置:SingleQuadDrain
晶体管极性:P-Channel
电阻汲极/源极RDS(导通):14Ohms
汲极/源极击穿电压:-250V
闸/源击穿电压:+/-40V
漏极连续电流:-197mA
功率耗散:1.1W
最大工作温度:+150℃
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOT-23-6
封装:Reel
最小工作温度:-55℃
StandardPackQty:3000
ZVP4525E6TA推荐供应商
更多>
- ZVP4525E6TA
- 深圳市吉铭贸易有限公司
- 50000
- Diodes Incorporated
- 2020+/MOSFET PCH 250V 0.197A SOT236
-
ZVP4525E6TA参数
- 标准包装3,000
- 类别分离式半导体产品
- 家庭FET - 单
- 系列-
- FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET 特点逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)250V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C197mA
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C14 欧姆 @ 200mA,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 1mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs3.45nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds73pF @ 25V
- 功率 - 最大1.1W
- 安装类型表面贴装
- 封装/外壳SOT-23-6
- 供应商设备封装SOT-23-6
- 包装带卷 (TR)
- 其它名称ZVP4525E6TR