SURS8205T3G 时间：2025/4/27 12:29:07 阅读：4

SURS8205T3G 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）芯片，专为开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种功率转换场景。它广泛用于电源管理、电机驱动以及负载切换等领域。
　　该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，通过优化的结构设计，实现了更高效的功率传输和更低的能量损耗。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(V_DS)：60V
　　最大栅源电压(V_GS)：±20V
　　最大漏极电流(I_D)：14A
　　导通电阻(R_DS(on))：4.5mΩ（在 V_GS=10V 时）
　　总功耗(P_TOT)：27W
　　结温范围(T_J)：-55℃ 至 +175℃
　　封装形式：TO-263-3

特性

SURS8205T3G 的主要特性包括以下几点：
　　1. 极低的导通电阻 R_DS(on)，可显著降低传导损耗并提高效率。
　　2. 快速开关速度，有助于减少开关损耗，特别适合高频应用。
　　3. 高击穿电压，确保在高电压环境下稳定运行。
　　4. 良好的热性能，能够承受较高的结温范围，提升系统的可靠性。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代工业要求。
　　6. 内置 ESD 保护，增强器件的抗静电能力。

应用

SURS8205T3G 适用于多种电力电子领域，包括但不限于：
　　1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流器。
　　2. 电池管理系统(BMS)中的负载切换控制。
　　3. 电机驱动电路中的功率级元件。
　　4. DC/DC 转换器及逆变器中的关键功率器件。
　　5. 各类工业设备中的功率调节与保护电路。
　　6. 充电器、适配器及其他便携式电子设备中的功率开关。