时间：2025/5/10 16:24:01
阅读：11
AON5802是Alpha and Omega Semiconductor（万代半导体）推出的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用超小型DFN1x1-6封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于便携式电子设备中的负载开关、DC-DC转换器以及电池供电应用。
由于其卓越的性能和紧凑的封装尺寸，AON5802在空间受限的设计中表现出色，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及其他便携式电子产品。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：4.2A
导通电阻：2.7mΩ（典型值，在Vgs=4.5V时）
栅极电荷：4.9nC（典型值）
输入电容：200pF（典型值）
工作结温范围：-55℃至+150℃
封装类型：DFN1x1-6
AON5802具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功耗并提高效率。
2. 小型化的DFN1x1-6封装，能够有效节省PCB空间。
3. 高开关速度，确保在高频应用中表现优异。
4. 低栅极电荷，减少驱动损耗。
5. 宽工作温度范围，适应多种环境条件。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
AON5802广泛应用于各种需要高效能和小体积解决方案的场景，包括但不限于：
1. 消费类电子产品的负载开关。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电池管理系统（BMS）中的保护电路。
4. USB充电端口保护。
5. 各种便携式设备中的电源管理模块。
AON7542G, AOZ5802QI
