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ZVNL120CSTOA 发布时间 时间:2023/9/11 17:51:32 查看 阅读:203

产品种类:MOSFET小信号

目录

概述

制造商:DiodesInc.
产品种类:MOSFET小信号
RoHS:是
晶体管极性:N-Channel
电阻汲极/源极RDS(导通):10Ohms
汲极/源极击穿电压:200V
闸/源击穿电压:+/-20V
漏极连续电流:180mA
功率耗散:700mW
安装风格:ThroughHole
封装/箱体:TO-92
封装:Bulk
StandardPackQty:4000

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ZVNL120CSTOA参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C180mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10 欧姆 @ 250mA,5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds85pF @ 25V
  • 功率 - 最大700mW
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
  • 供应商设备封装TO-92-3
  • 包装带卷 (TR)