类型：MOS控制晶闸管（MCT）
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：2400V
　　最大集电极电流（IC）：75A（连续）
　　峰值电流（非重复）：300A
　　栅极触发电压：±15V（典型）
　　工作结温范围：-40°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247

CM75TU-24H的核心特性之一是其基于MOS控制晶闸管（MCT）技术的双向可控性。与传统的SCR或GTO不同，MCT不仅可以通过正向栅极脉冲触发导通，还能通过负向栅极脉冲强制关断，实现了全控型开关功能。这种特性使得CM75TU-24H在复杂电力控制系统中表现出色，尤其适合需要快速切断电流的应用场景。其内部结构包含两个互补的MOSFET与一个PNPN晶闸管结构的集成，形成正反馈回路以维持导通状态，同时利用反向MOSFET强制抽出载流子实现关断。这一机制大幅减少了关断时间，并避免了GTO所需的复杂缓冲电路。
　　该器件具备优异的高温工作能力，最大结温可达150°C，适合在高温工业环境下长期稳定运行。其TO-247封装提供了良好的散热路径，便于安装于散热器上，确保在高负载条件下仍能维持安全的工作温度。此外，CM75TU-24H具有较高的dv/dt和di/dt耐受能力，能够在快速电压和电流变化条件下可靠工作，减少误触发风险。
　　另一个重要特性是其低导通压降（VT），在额定电流下通常低于3.5V，这有助于降低导通损耗，提高系统整体效率。相比IGBT或MOSFET在同等电压等级下的表现，CM75TU-24H在特定高频、高电压应用中展现出更优的能效比。同时，其输入阻抗高，驱动功率需求小，可直接由逻辑电路或驱动芯片控制，简化了外围驱动设计。
　　CM75TU-24H还具备较强的抗电磁干扰能力，适用于噪声较大的工业现场。其制造工艺符合国际安全标准，具备良好的隔离性能和长期可靠性，适合用于关键电力控制场合。尽管目前MCT技术在市场上的普及度不如IGBT或SiC器件，但在某些特殊领域，如高频逆变器和脉冲功率系统中，CM75TU-24H仍具有不可替代的技术优势。

CM75TU-24H主要应用于需要高电压、大电流且要求快速开关控制的工业电力电子系统。在感应加热设备中，该器件被广泛用于高频逆变电路，将直流电转换为高频交流电以驱动感应线圈产生涡流加热金属材料。其快速关断能力和高电压耐受性使其非常适合此类高频硬开关拓扑结构，能够有效提升加热效率并减少能量损耗。
　　在电机驱动领域，特别是中高压交流调速系统中，CM75TU-24H可用于构建高性能逆变桥，实现对电动机的精确控制。相较于传统GTO，它无需复杂的关断辅助电路，降低了系统复杂度和故障率。在固态断路器和固态继电器中，CM75TU-24H凭借其全控特性，可在检测到短路或过流时迅速切断电路，提供毫秒级响应保护，保障设备和人员安全。
　　此外，该器件也常见于不间断电源（UPS）和应急电源系统中的静态开关模块，用于在主电源与备用电源之间进行无缝切换。其高可靠性和长寿命确保了关键设施（如数据中心、医院、通信基站）的持续供电。在脉冲功率系统（如激光电源、雷达调制器）中，CM75TU-24H能够承受瞬时大电流冲击并实现精确时序控制，满足高能脉冲释放的需求。
　　其他应用还包括电焊机电源、电磁发射装置、电力补偿系统以及高压直流输电中的辅助控制单元。虽然随着宽禁带半导体（如SiC和GaN）的发展，部分应用场景已被新型器件取代，但在成本敏感且对特定性能有要求的传统工业设备中，CM75TU-24H依然保持着一定的市场地位和技术价值。