时间：2025/8/14 20:10:08
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PJW5N10A_R2_00001 是一款由PanJit（强茂）公司制造的N沟道功率MOSFET晶体管，主要应用于电源管理和功率转换领域。该MOSFET具有较高的耐用性和可靠性，适合在多种电子设备中使用。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：5A
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(ON)）：约0.8Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
PJW5N10A_R2_00001 MOSFET具备低导通电阻，从而减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。此外，该器件的高耐压特性使其适用于各种中高功率应用环境。其采用TO-252封装，便于散热，同时易于集成到PCB设计中。该MOSFET具有良好的热稳定性和高可靠性，能够适应严苛的工作环境。此外，它还具有快速开关特性，适合用于高频开关电源和DC-DC转换器中。
该MOSFET广泛应用于电源适配器、电池充电器、DC-DC转换器、负载开关、马达控制电路以及各种中功率电子设备中。此外，PJW5N10A_R2_00001也可用于工业自动化设备和消费类电子产品中的功率管理电路。
FQP5N10L, STP5NK50Z, IRFZ44N
