类别:分离式半导体产品
类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:3 欧姆 @ 500mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:320mA
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:-
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :75pF @ 25V
功率 - 最大:700mW
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-92-3(标准主体),TO-226
包装:散装
其它名称:TN0110N3