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LD06GA100JAB1A 发布时间 时间:2025/7/3 14:50:54 查看 阅读:9

LD06GA100JAB1A是一款高性能的功率MOSFET,采用先进的半导体制造工艺设计。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,广泛适用于各种高效能电源转换应用中。其封装形式为TO-220,适合高电流输出需求的场景。

参数

型号:LD06GA100JAB1A
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):100V
  最大连续漏极电流(Id):40A
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):6mΩ(典型值,Vgs=10V)
  总功耗(Ptot):135W
  结温范围(Tj):-55℃至+175℃
  封装形式:TO-220

特性

LD06GA100JAB1A采用了最新的超结技术,确保了极低的导通电阻,从而显著降低了传导损耗。同时,它还具备出色的热性能和较高的电流密度,使其非常适合于高频开关应用。
  该器件的栅极电荷较低,可以减少开关过程中的能量损耗,并提高整体效率。此外,其坚固的设计能够在极端温度条件下稳定工作,从而增强了系统可靠性。
  通过优化的封装设计,这款MOSFET能够有效地散发热量,进一步延长使用寿命并降低故障风险。这些特点使LD06GA100JAB1A成为众多工业和消费类电子产品中不可或缺的核心元件。

应用

该芯片主要应用于直流-直流转换器、电机驱动电路、逆变器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及其他需要高效功率转换的领域。在汽车电子方面,它可以用于启动马达控制和车载充电系统。由于其强大的电流承载能力和稳定的高温表现,也常见于工业设备如焊接机、感应加热装置等。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5800
  STP40NF10
  IXTH40N10L2

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LD06GA100JAB1A参数

  • 产品培训模块Component Solutions for Smart Meter Applications
  • 标准包装2,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列LD
  • 电容10pF
  • 电压 - 额定2000V(2kV)
  • 容差±5%
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用通用
  • 额定值-
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 尺寸/尺寸0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.060"(1.52mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高电压
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-