LD06GA100JAB1A是一款高性能的功率MOSFET,采用先进的半导体制造工艺设计。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,广泛适用于各种高效能电源转换应用中。其封装形式为TO-220,适合高电流输出需求的场景。
型号:LD06GA100JAB1A
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):100V
最大连续漏极电流(Id):40A
最大栅源电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):6mΩ(典型值,Vgs=10V)
总功耗(Ptot):135W
结温范围(Tj):-55℃至+175℃
封装形式:TO-220
LD06GA100JAB1A采用了最新的超结技术,确保了极低的导通电阻,从而显著降低了传导损耗。同时,它还具备出色的热性能和较高的电流密度,使其非常适合于高频开关应用。
该器件的栅极电荷较低,可以减少开关过程中的能量损耗,并提高整体效率。此外,其坚固的设计能够在极端温度条件下稳定工作,从而增强了系统可靠性。
通过优化的封装设计,这款MOSFET能够有效地散发热量,进一步延长使用寿命并降低故障风险。这些特点使LD06GA100JAB1A成为众多工业和消费类电子产品中不可或缺的核心元件。
该芯片主要应用于直流-直流转换器、电机驱动电路、逆变器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及其他需要高效功率转换的领域。在汽车电子方面,它可以用于启动马达控制和车载充电系统。由于其强大的电流承载能力和稳定的高温表现,也常见于工业设备如焊接机、感应加热装置等。
IRFZ44N
FDP5800
STP40NF10
IXTH40N10L2