时间：2025/5/8 13:20:24
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SIR474DP-T1-GE3 是一款基于沟槽技术的 N 沟道增强型功率 MOSFET，由 Vishay 公司生产。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于需要高效能和快速响应的电路设计。其封装形式为 TO-263 (DPAK)，适合表面贴装工艺。
该器件主要应用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他需要高频开关和低功耗的应用场景。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：25A
导通电阻：9mΩ
栅极电荷：35nC
输入电容：1020pF
总热阻（结到环境）：40°C/W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
SIR474DP-T1-GE3 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，可有效降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高速开关性能，支持高频应用，减少磁性元件体积。
3. 增强的热稳定性，可在高温环境下保持可靠运行。
4. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
5. 表面贴装封装，简化了自动化生产和组装过程。
6. 良好的电气特性和机械强度，确保长期使用中的可靠性。
SIR474DP-T1-GE3 的典型应用包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），例如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机控制和驱动电路，如无刷直流电机（BLDC）驱动。
3. 电池管理系统（BMS）中的负载开关和保护电路。
4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
5. LED 照明驱动电路，提供高效的功率调节功能。
6. 各种消费类电子产品中的功率管理单元。
SIR474DP
SIR474DP-TR
STP25N10WF
IXTN28N100P3
