时间：2025/5/8 15:18:17
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ZVN4424G是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合于需要高效能和快速响应的应用场景。
该MOSFET采用TO-252封装形式，有助于提高散热性能并节省电路板空间。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：4.3A
导通电阻（典型值）：0.18Ω
栅极电荷：1.8nC
开关速度：非常快
工作温度范围：-55℃至150℃
1. 极低的导通电阻确保了更小的传导损耗，从而提高了系统效率。
2. 快速的开关速度降低了开关损耗，适用于高频应用。
3. 小型表面贴装封装（TO-252）使其易于安装在紧凑设计中。
4. 高可靠性，能够在恶劣环境下长时间稳定运行。
5. 具有出色的热性能，可减少额外散热措施的需求。
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电池管理与保护电路
4. 电机控制和驱动
5. 负载开关
6. 各类便携式电子设备中的电源管理模块
ZVN4427A, IRFZ44N, FDP5570N
