类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：200mA
　　脉冲漏极电流（Idm）：800mA
　　功耗（Pd）：625mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值 3.5Ω（Vgs = 10V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：最小 1.0V，最大 3.0V
　　输入电容（Ciss）：约 35pF
　　输出电容（Coss）：约 15pF
　　反向传输电容（Crss）：约 5pF
　　开启时间（Ton）：约 10ns
　　关闭时间（Toff）：约 25ns

ZVN4310具备多项优异的电气和物理特性，使其在低功率开关应用中表现突出。首先，其低阈值电压（Vgs(th)）范围为1.0V至3.0V，意味着该MOSFET可以在低至1.8V或3.3V的逻辑电平下可靠导通，非常适合现代低电压数字控制系统，例如由单片机GPIO直接驱动的应用场景。这种低驱动电压要求减少了对外部驱动电路的需求，简化了整体系统设计并降低了功耗。
　　其次，ZVN4310的导通电阻Rds(on)在Vgs=10V时仅为3.5Ω左右，这确保了在导通状态下有较小的功率损耗和压降，提高了能源利用效率。对于电池供电设备而言，这一点尤为重要，有助于延长设备运行时间。同时，该器件的连续漏极电流可达200mA，峰值脉冲电流可达800mA，足以驱动小型继电器、LED阵列、蜂鸣器或其他低功耗负载。
　　再者，ZVN4310采用了TO-92封装，具有良好的散热性能和机械稳定性。尽管体积小巧，但其625mW的最大功耗能力在同类产品中处于较好水平。此外，该器件拥有出色的输入阻抗特性，几乎不从控制源汲取电流，因此对前级电路影响极小，适合作为高阻抗缓冲或隔离开关使用。
　　在动态性能方面，ZVN4310具备较快的开关速度，开启时间约为10ns，关闭时间约为25ns，能够胜任高频开关任务，如PWM调光、DC-DC转换中的同步整流等。其寄生电容（Ciss、Coss、Crss）数值较低，减小了栅极驱动能量需求，并降低了开关过程中的振荡风险。
　　最后，ZVN4310的工作结温范围高达+150°C，存储温度范围也为-55°C至+150°C，展现出良好的热稳定性与环境适应能力。这些特性使其不仅适用于常规商业环境，也能在较为严苛的工业环境中稳定运行。综合来看，ZVN4310是一款性价比高、通用性强的小信号MOSFET，适用于多种低功耗模拟与数字电路设计。

ZVN4310广泛应用于各类低电压、低电流的开关与信号控制场合。常见用途包括便携式电子设备中的电源开关控制，例如智能手机、平板电脑或蓝牙耳机中的负载开关模块。由于其低阈值电压和低静态功耗特性，非常适合用于电池管理系统中，实现对不同功能模块的上电/断电控制，以优化整体能耗。
　　在嵌入式系统和微控制器项目中，ZVN4310常被用来扩展I/O口的驱动能力，驱动LED指示灯、小型直流电机、电磁阀或继电器线圈等负载。因其可由3.3V或5V逻辑电平直接驱动，无需额外的电平转换或推挽电路，大大简化了硬件设计。
　　此外，该器件也适用于模拟开关电路，如音频信号切换、传感器信号通断控制等。在一些简单的DC-DC升压或降压拓扑中，ZVN4310可用作同步整流开关，提高转换效率。它还可用于过流保护电路、恒流源设计以及小功率逆变器中的驱动级。
　　由于其TO-92封装易于手工焊接，ZVN4310在教育实验、电子竞赛、创客项目和原型开发中非常受欢迎。许多Arduino或树莓派相关的扩展模块都采用此类MOSFET作为执行元件的驱动接口。总之，凡是需要一个简单、可靠、低成本的电子开关来控制小功率负载的场景，ZVN4310都是一个理想的选择。

2N7000
　　FDS667A
　　MMSH106
　　BSS138