类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电压（VDS）：100V
　　最大漏极电流（ID）：10A（常温下）
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.6Ω（典型值）
　　最大功耗（PD）：30W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220或TO-92

JX2N1483 MOSFET 具有良好的导通性能和较高的开关速度，适用于中高功率的电子控制系统。其N沟道增强型结构使得在适当的栅极电压驱动下，能够实现较低的导通压降和较高的效率。该器件的高耐压能力（100V）和较强的电流承载能力（10A）使其适用于各种功率转换电路。此外，其导通电阻较低，有助于减少功率损耗，提高整体效率。该MOSFET还具有良好的热稳定性和较强的抗过载能力，在高温环境下依然可以保持稳定工作。
　　在使用JX2N1483时，需要注意其栅极驱动电压，通常需要至少10V以上的栅极电压才能使其完全导通，以降低导通电阻并提高效率。同时，为防止器件因过热或过电流而损坏，建议在电路设计中加入适当的散热措施和保护机制。该器件的封装形式通常为TO-220或TO-92，便于在不同的电路中进行安装和散热处理。

JX2N1483 MOSFET 广泛应用于各种功率电子设备中，包括开关电源、直流电机控制、逆变器、放大器、LED驱动电路以及工业自动化控制系统。在电源管理领域，该器件可用于DC-DC转换器和电池充电器，实现高效的能量转换。此外，在电机控制电路中，JX2N1483 可作为驱动开关，实现电机的启停和调速控制。其高耐压和较大的电流承载能力也使其适用于UPS（不间断电源）系统和太阳能逆变系统中的功率开关电路。

2N1483, IRF540, FDPF14N10A, 2N6764