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CEP75N06 发布时间 时间:2025/7/3 23:29:42 查看 阅读:10

CEP75N06是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件通常用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用中。其设计目的是提供高效率和低损耗的功率管理解决方案。
  该MOSFET具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,适用于需要高性能和可靠性的电路设计。由于其出色的电气特性和稳定性,CEP75N06在工业控制、汽车电子以及消费类电子产品领域得到了广泛应用。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:75A
  导通电阻(典型值):4.5mΩ
  栅极电荷:118nC
  开关时间:开启延迟时间:19ns,上升时间:9ns,关断延迟时间:34ns,下降时间:12ns
  工作结温范围:-55℃至175℃

特性

CEP75N06采用了先进的制造工艺,具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,能够有效减少功率损耗,提高系统效率。
  2. 高电流承载能力,适合大功率应用场景。
  3. 快速开关速度,有助于降低开关损耗并提升动态性能。
  4. 良好的热稳定性和可靠性,确保在极端温度条件下依然保持优异表现。
  5. 符合RoHS标准,环保且易于集成到现代电子产品中。
  这些特点使得CEP75N06成为高效功率转换的理想选择。

应用

这款MOSFET适用于多种电力电子设备,包括但不限于以下应用:
  1. 开关电源(SMPS),如AC-DC适配器和充电器。
  2. DC-DC转换器,用于电压调节和电池管理。
  3. 电机驱动器,支持无刷直流电机和其他类型的电动机控制。
  4. 负载开关,实现快速而可靠的电路保护。
  5. 汽车电子系统中的电源管理和配电模块。
  凭借其强大的性能,CEP75N06能够在各种严苛环境下提供稳定的运行表现。

替代型号

IRF7846, FDP75N06L, STP75NF06

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